Inpの強制ドーピングによる高濃度pドープ量子ドット太陽電池及び製造方法

Abstract

【課題】本発明は、半導体量子ドット増感型太陽電池の製造方法に関する。 【解決手段】本発明の製造方法は、基板の上部に4族元素及びInPを含む半導体層を形成した後、前記半導体層が形成された基板を熱処理し、In(Indium)を除去し、P(phosphorus)がドープされた4族元素量子ドットであるn型半導体量子ドットを形成する量子ドット形成段階を含む特徴がある。 【選択図】図3

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      Title
      JPN6013058873; 物理学辞典編集委員会: 物理学辞典 , 20050930, p.2459-2461, 株式会社 培風館

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